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三星和英特尔将加快嵌入式商用脚步

举世两大年夜半导体巨擘——英特尔(Intel)、三星(Samsung)在上周举办的第64届国际电子组件会议(IEDM)上,颁发嵌入式MRAM逻辑芯片制造工艺的新技巧。

英特尔先容整合于其22FFL工艺的自扭转移力矩(STT)-MRAM非挥发内存之关键特点,并指称这是“首款基于FinFET的MRAM技巧”。英特尔表示该技巧今朝已经“临盆就绪”(production-ready),但并没走漏有哪一家代工厂采纳这一工艺;不过,根据多个消息滥觞显示,该技巧已经用于今朝出货中的产品了。

同时,三星(Samsung)先容在其28nm FDSOI工艺制造的STT-MRAM。从可扩展性、外形可调剂以及磁可扩展性方面来看,STT-MRAM被视为是今朝最佳的MRAM技巧。MRAM技巧自1990年代起开始成长,但尚未取得广泛的商业成功。三星研发中间首席工程师Yoon Jong Song说:“我觉得现在是展示MRAM可制造和商业化成果的时刻了!”Song同时也是该公司在IEDM颁发论文的主要作者。

跟着业界持续迈向更小技巧节点,DRAM和NAND闪存(flash)正面对着严苛的微缩寻衅,MRAM因而被视为有望取代这些内存芯片的备选自力式组件。此外,这种非挥发性内存因为具备快速读/写光阴、高耐受度以及强劲的保留能力,也被视为极具吸引力的嵌入式技,适用于取代Flash和嵌入式SRAM。嵌入式MRAM被视为分外适用于像物联网(IoT)设备之类的利用。

电子显微镜影像显示MTJ数组的横截面,该数组嵌入于英特尔22nm FinFET逻辑工艺中的Metal 2和Metal 4之间。

自去年以来,格芯科技(Globalfoundries)不停在供应采纳其22FDX 22-nm FD-SOI工艺的嵌入式MRAM。但ObjecTIve Analysis首席阐发师Jim Handy表示,他并未留意到有任何采纳Globalfoundries嵌入式MRAM技巧的任何商业化产品推出。

他说:“没有人采纳的缘故原由在于他们还必须为其添加新材料。”但跟着制造资源低落以及其他内存技巧面对微缩寻衅,嵌入式MRAM越来越受青睐。Handy说:“紧张的是,跟着新的工艺技巧进展,SRAM内存单元的尺寸并不会跟着其后的先辈工艺而缩小,是以,MRAM将会变得越来越有吸引力。”

英特尔在IEDM颁发的论文中表示,其嵌入式MRAM技巧在摄氏200°温度下可实现10年的数据保留能力,耐受度跨越106个开关周期。该技巧应用216×225 mm 1T-1R内存单元。同时,三星称其8Mb MRAM的耐受度为106个周期,同样支持10年的保留能力。

Song表示,三星的技巧一开始将先针对物联网(IoT)利用,并将在前进靠得住性之后,陆续导入汽车和工业利用。“我们已成功将该技巧从实验室转移到晶圆厂,估计在不久的将来上市。”

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